晶体管 BC858W,115 双极 (BJT)

BC858W,115介绍：

描述 TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 汽车级，AEC-Q101

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 30V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 2mA，5V

功率 - 最大值 200mW

频率 - 跃迁 100MHz

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SC-70，SOT-323

供应商器件封装 SOT-323-3

基本零件编号 BC858

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。