晶体管 IXTP8N50P MOSFET

IXTP8N50P介绍：

描述 MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

详细描述 通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 PolarHV™

包装 ? 管件 ?

零件状态 最後搶購

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 800 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1050pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。