晶体管 TN2425N8-G MOSFET - 单

地区:广东 深圳
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TN2425N8-G介绍:

描述 MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 18 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 480mA(Tj) 1.6W(Tc) SOT-89-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 480mA(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.6W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-89-3

封装/外壳 TO-243AA

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。




系列

-

类别

半导体产品

产品族

-

电压

25V