晶体管 PUMD9,115 双极 (BJT) - 阵列

PUMD9,115介绍：

描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 10 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值） 1μA

频率 - 跃迁 -

功率 - 最大值 300mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装 6-TSSOP

基本零件编号 P*MD9

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。