晶体管 DMP32D4S-7 半导体产品

DMP32D4S-7介绍：

描述 MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

制造商标准提前期 12 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 300mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.4 欧姆 @ 300mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 1.2nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 51.16pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 370mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。