晶体管 IXTV96N25T FET

IXTV96N25T介绍：

描述 MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 250V 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 TrenchHV™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 96A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 114nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 625W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 29 毫欧 @ 500mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PLUS220

封装/外壳 TO-220-3（SMT）标片

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管.