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产品属性
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PUMH20介绍:
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基底(R1) 2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2) 2.2 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1μA
频率 - 跃迁 -
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 6-TSSOP
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。
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半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
50V