晶体管 MT3S16U 双极 (BJT) - 射频

MT3S16U介绍：

描述 TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 RF Transistor NPN 5V 60mA 4GHz 100mW Surface Mount USM

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 射频

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

电压 - 集射极击穿（最大值） 5V

频率 - 跃迁 4GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2.4dB @ 1GHz

增益 4.5dBi

功率 - 最大值 100mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，1V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 60mA

工作温度 125°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 SC-70，SOT-323

供应商器件封装 USM

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。