FET IRFD310 MOSFET - 单

地区:广东 深圳
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IRFD310 介绍:

描述 MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 16 周

详细描述 通孔 N 沟道 400V 350mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 400V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 350mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 170pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.6 欧姆 @ 210mA,10V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选,因为模拟电路设计重视的性能参数,如晶体管的转导(transconductance)或是电流的驱动力上,MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进,今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。






系列

-

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

400V