FET IRFD310 MOSFET - 单

IRFD310 介绍：

描述 MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述 通孔 N 沟道 400V 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 350mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.6 欧姆 @ 210mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。