晶体管 IRLU2905PBF MOSFET

IRLU2905PBF介绍：

描述 MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

详细描述 通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） I-PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 27 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V

FET 功能 -

安装类型 通孔

供应商器件封装 I-PAK

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料