晶体管 BSS214NH6327XTSA1 MOSFET

BSS214NH6327XTSA1介绍：

描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 3.7μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.8nC @ 5V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 143pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-SOT23-3

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。