晶体管 BSS214NH6327XTSA1 MOSFET

地区:广东 深圳
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BSS214NH6327XTSA1介绍:

描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 3.7μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V

Vgs(最大值) ±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 143pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 500mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-SOT23-3

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。




系列

OptiMOS™

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

2.5V,4.5V