晶体管 IPD079N06L3 G MOSFET - 单

IPD079N06L3 G介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 34μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4900pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 79W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.9 毫欧 @ 50A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO252-3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。