晶体管 IPD079N06L3 G MOSFET - 单

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IPD079N06L3 G介绍:

描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 34μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 79W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.9 毫欧 @ 50A,10V

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO252-3

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。




系列

OptiMOS™

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

4.5V,10V