晶体管 STW55NM60ND MOSFET

STW55NM60ND介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V 51A TO-247

制造商标准提前期 42 周

详细描述 通孔 N 沟道 600V 51A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 FDmesh™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 51A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 25.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路