晶体管 STW55NM60ND MOSFET

地区:广东 深圳
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STW55NM60ND介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V 51A TO-247

制造商标准提前期 42 周

详细描述 通孔 N 沟道 600V 51A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 FDmesh™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 51A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 25.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V

Vgs(最大值) ±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 350W(Tc)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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晶体管,本名是半导体三极管,是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑电路





系列

FDmesh™ II

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

10V