晶体管 IPP030N10N3GXKSA1 FET-MOSFET

IPP030N10N3GXKSA1介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

详细描述 通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 275μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 206nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。