晶体管 DMN1150UFB-7B MOSFET - 单

DMN1150UFB-7B介绍：

描述 MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 20 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 12V 1.41A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.41A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 1.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±6V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 106pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 3-DFN1006（1.0x0.6）

封装/外壳 3-UFDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！

所出的物料，绝对原装正品！放心购买！

本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！欢迎垂询！                  

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201

静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。