晶体管 FDD5N60NZTM MOSFET - 单

FDD5N60NZTM介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V DPAK-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 20 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 UniFET-II™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 600pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 83W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。晶体管，本名是半导体三极管。