晶体管 SI4630DY-T1-E3 MOSFET - 单

SI4630DY-T1-E3介绍：

描述 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO

表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 161nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6670pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.5W（Ta），7.8W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。