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产品属性
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BUK7Y65-100EX介绍:
描述 MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 19A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1023pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 64W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳 SC-100,SOT-669
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
TrenchMOS™
半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
10V