晶体管 IXGT60N60 MOSFET - 单

IXGT60N60介绍：

描述 IGBT 600V 75A 380W TO268

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 24 周

详细描述 IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 GenX3™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 PT

电压 - 集射极击穿（最大值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 75A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.5V @ 15V，40A

功率 - 最大值 380W

开关能量 800μJ（开），450μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 115nC

25°C 时 Td（开/关）值 21ns/70ns

测试条件 480V，40A，3 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 25ns

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

供应商器件封装 TO-268

基本零件编号 IXG*60N60

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管比电子管体积小很多，需要空间比电子管小很多，电器使用晶体管可以做的很小。封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一。