晶体管 VN0550N3-G-P013 MOSFET

VN0550N3-G-P013介绍：

描述 MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 500V 50mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 55pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 欧姆 @ 50mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-92-3

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管按功能和用途可分为微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。