晶体管 SI2308BDS-T1-E3 MOSFET - 单

地区:广东 深圳
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SI2308BDS-T1-E3介绍:

描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

制造商标准提前期 33 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 156 毫欧 @ 1.9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.09W(Ta),1.66W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。




  

系列

TrenchFET®

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

60V