晶体管 NVB6410ANT4G MOSFET - 单

NVB6410ANT4G介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 最後搶購

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 76A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 188W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 76A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。