晶体管 STP36NF06L FET

STP36NF06L介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

制造商标准提前期 38 周

详细描述 通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 5V

Vgs（最大值） ±18V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 70W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。