晶体管 STH3N150-2 半导体产品

STH3N150-2介绍：

描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 42 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 140W（Tc） H2PAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 PowerMESH™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 1500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9 欧姆 @ 1.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29.3nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 939pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 140W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 H2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。