晶体管 STP80NF03L-04 半导体产品

STP80NF03L-04介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 42 周

详细描述 通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 40A，10V

工作温度 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路。