晶体管 STP80NF03L04 MOSFET

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STP80NF03L04介绍:

描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 38 周

详细描述 通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 STripFET™ II

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 40A,10V

工作温度 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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晶体管的发明,最早可以追溯到1929年,当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是,限于当时的技术水平,制造这种器件的材料达不到足够的纯度,而使这种晶体管无法制造出来。





系列

STripFET™ II

类别

半导体产品

产品族

-

电压

4.5V,10V