ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效
意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的...
日期:2007-12-03
ST推出了新系列功率MOSFET产品的款产品
的功率半导体产品制造商之一的意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)近日推出了新系列...
日期:2007-11-30
Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额定
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET,这一进步将帮助设计人...
日期:2007-11-27
Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额...
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET,这一进步将帮助设计人...
日期:2007-11-27
Vishay新款功率MOSFET在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET,这一进步将帮助设计人...
日期:2007-11-27
Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω
Vishay的子公司Siliconixincorporated推出一系列新型-150V和-200VP沟道功率MOSFET,这些器件提供了面向有源...
日期:2007-11-26
满足开关电源要求的功率MOSFET
近年来,电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大(某些电源系统输出几十安培到上百...
日期:2007-11-24
面向OR-ing应用的功率MOSFET(Vishay)
日前,VishayIntertechnology,Inc.推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供...
日期:2007-11-24
Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ
Vishay公司推出五款新型P通道负载开关,这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件,而...
日期:2007-11-24
Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻..
VishayIntertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF,其热阻均为1℃/W,封装的两面均...
日期:2007-11-23
安森美半导体推出便携式应用的μCool功率MOSFET产品系列..
安森美半导体(ONSemiconductor)为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET...
日期:2007-11-22
Microsemi推出工作电压为165V的射频功率MOSFET
Microsemi公司近期新推出一款适用于MRI、CO2激光器、RF等离子发生器以及宽带线性放大器的VHF频段射频功率MO...
日期:2007-11-19
NEC电子推出8款汽车用功率MOSFET产品
NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型...
日期:2007-11-16
Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET
VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供的导通...
日期:2007-11-14
桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路设计
摘要:针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题,给出了计及各寄生参数的驱动电路等效...
日期:2007-11-12
安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列,推出18款新计算器件
—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出18款...
日期:2007-09-21
NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品
NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发,并将于即日...
日期:2007-07-31
功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究
1 引言 20世纪70年代出现了世界性的能源危机,电力电子技术实现对电能的高效能变换和控制,其发展为节约能...
日期:2007-07-19
确定功率MOSFET的适用性
引言 功率金属氧化半导体场效应晶体管 (Power MOSFET) 是当今电源中广泛使用的开关器件。功率 MOSFET 的工...
日期:2007-07-19
用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热
引言使用生产厂封装的功率MOSFET器件,可以大幅度地提高多相稳压器组件(VRM)的功率密度。电流密度的提高是...
日期:2007-04-29
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SM...
日期:2007-04-29
瑞萨发布 P沟道功率MOSFET
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的2.7mΩ(典型值)导通电...
日期:2007-04-29
Renesas 两个功率MOSFET的HAT2210WP
瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP,封装形式是WPAK(瑞萨科技的封装代码)*1高热...
日期:2007-04-29
Renesas发布5W高频功率MOSFET
瑞萨科技公司宣布推出包括5W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET,用于手持式无线电设备及类似设备中的传...
日期:2007-04-29
瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET
瑞萨用于电池充电器的功率MOSFETRenesasPowerMOSFETsforBatteryChargerRenesas公司功率MOSFET应用发展趋势...
日期:2007-04-29
灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究
灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究郭丽娜,陈星弼1引言20世纪70年代出现了世界性的能源危机...
日期:2007-04-29
安森美 推出新功率MOSFET产品系列
安森美半导体(ONSemiconductor)于2006年6月5日推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产...
日期:2007-04-28
功率MOSFET并联均流问题研究
摘要:对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。...
日期:2007-04-28
RF功率MOSFET产品及其工艺开发
RF 功率 MOSFET的应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型...
日期:2007-04-18
功率MOSFET的基本知识
自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电压...
日期:2007-04-03