STD11NM60N的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性,使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。因为传导损耗和功耗都很低,该器件还有助于客户降低散热器的尺寸,从而大大节省了电路板的空间。
该芯片精巧的尺寸,再加上微型的DPAK/IPAK和TO-220FP 封装,使之特别适合照明应用产品,例如,大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID)电子镇流器。
STD11NM60N现已量产。 订购10,000件,单价0.90美元。
技术说明:
ST的MDmeshTM (多漏极网格TM)技术的卓越性能归功于一个创新的漏极结构,在这个漏极结构中,漏极是半导体纵向延伸的垂直P型带与横向N型源极薄带组成的隔离阵列。 在新一代 MDmesh技术MDmesh II中,得到进一步改良的P型带阵列比前一代MDmesh技术降低通态电阻 55% RDS (ON) ,而这个优异的性能不是以牺牲对温度特性的控制为代价的。
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