射极跟随器时的功率MOSFET的驱动
功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近,制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用...
日期:2008-09-10
开路集电极时的功率MOSFET的驱动
晶体管开路集电极组成的电路是最基本的开关电路。图1所示的74系列TTL的开路集电极上附...
日期:2008-09-10
250W级功率MOSFET的门驱动电路
前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面,针对大容量的功率MOSFET进行实验。...
日期:2008-09-10
150W级功率MOSFET的门驱动电路
作为高速的开关器件,功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它,就必须非常清楚其门驱动...
日期:2008-09-10
Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列
日前,Vishay宣布推出采用PowerPAKSC-75封装的p通道功率MOSFET系列,该系列包括额定电压介于8V~30V的多个...
日期:2008-08-22
瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET
这两种产品可以放大转换为高频的音频信号,以发射规定的输出功率,并将该功率传送给天线。1W输出的RQA0010...
日期:2008-06-10
瑞萨发布用于高效率发射器功率放大器的高频功率MOSFET器件
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界最高功效级...
日期:2008-06-06
瑞萨推出新款高频功率MOSFET RQA0010/14
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现最高功效级别...
日期:2008-06-03
ST新推功率MOSFET系列,采用版STripFET技术
意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产...
日期:2008-06-02
瑞萨科技高效大功率MOSFET器件RQA0010
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.),推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界最高功效级别*1...
日期:2008-06-02
瑞萨新款RQA0010/14高频功率MOSFET适用于功率放大器
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现最高功效级别...
日期:2008-06-02
Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20Vp通道TrenchFET功率MOSFET,该器件采用MICRO...
日期:2008-05-30
ST推出采用新STripFET技术的功率MOSFET系列产品
意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET(金属互补氧化物场效应晶体管)产品。新产...
日期:2008-05-24
安森美推出12款功率MOSFET组件,适用于笔记本电脑等
电源管理解决方案供货商安森美半导体(ONSemiconductor)推出12款新的功率MOSFET组件,针对直流-直流(DC-DC)...
日期:2008-03-06
NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品
近日,NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A...
日期:2008-02-01
NEC电子(欧洲)推出新型P沟道功率MOSFET产品
NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A...
日期:2008-01-25
安森美拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件
安森美半导体推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用...
日期:2007-12-22
意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N
意法半导体(ST)推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特性优越...
日期:2007-12-19
Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件
Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件,与使用任何先前此类单片器件的电路相比,该器件在直流到直流...
日期:2007-12-19
安森美半导体推出新SOT-723封装功率MOSFET
安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用小型SOT-723封装,特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MO...
日期:2007-12-13
安森美推出小封装功率MOSFET 散热特性面向便携式产品
为了满足业界对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求,安森美半导体(ONS...
日期:2007-12-12
Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻
VishayIntertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF,其热阻均为1℃/W,封装的两面均...
日期:2007-12-12
意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9
意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平...
日期:2007-12-12
IR带保护电路的小型车载功率MOSFET开始供货
日本国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)日前宣布,已经开始供应带保护电路的小型车载功率MOSF...
日期:2007-12-11
意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效
意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的...
日期:2007-12-06
意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L
意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平...
日期:2007-12-06
飞兆半导体新款小体积高性能功率MOSFET适用于便携式产品
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压(<20V...
日期:2007-12-03
意法半导体近日推出了新系列功率MOSFET的款产品
意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的第一款产品STD11NM60N。该产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特...
日期:2007-12-03
ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效
意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平...
日期:2007-12-03
ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效
意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的...
日期:2007-12-03