安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率
MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的
CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端
开关，如台式机、笔记本电脑和
服务器中。
这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
- NTD4804N 30 V 117 A 4 mΩ 30 nC
- NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
- NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ 15 nC
- NTD4808N 30 V 63 A 8 mΩ 11.3 nC
- NTD4809N 30 V 58 A 9 mΩ 10.7 nC
- NTD4810N 30 V 54 A 10 mΩ 9 nC
- NTD4813N 30 V 40 A &
nbsp; 13 mΩ 6.9 nC
- NTD4815N 30 V 35 A 15 mΩ 6 nC
其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
- NTMFS4833N 30 V 191 A 2 mΩ 39 nC
- NTMFS4834N 30 V 130 A 3 mΩ 33 nC
- NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 mΩ 25 nC
- NTMFS4836N 30 V 90 A 4 mΩ 19.1 nC
- NTMFS4837N 30 V 74 A 5 mΩ 14.2 nC
- NTMFS4839N 30 V 66 A 6 mΩ 12 nC
- NTMFS4841N 30 V 57 A 7 mΩ 11.9 nC
- NTMFS4741N 30 V 67 A 8 mΩ 15 nC
- NTMFS4744N 30 V 53 A 10 mΩ 10 nC
- NTMFS4747N 30 V 44 A 13 mΩ 12 nC
