肖特基二极管 Schottky二极管由于其简单性和效率而被广泛用于次要/输出阶段。与普通二极管不同，它们的正向电压下降通常较低，约为0.3-0.9V，从而减少了开关损耗。它们的快速开关特性还使其适合于高频应用和现代电源，在该应用中，开关频率的额定值为50-65kHz。 在关注所有这些好处时，Schottky Diodes也有一些缺点。在高电流下，它们的正向电压下降会导致大量功率损失。在简单的测试中，一个10A应用，一个0.5V前滴的Schottky二极管会消散5W的热量。它浪费了能量，需要大量的散热器。此外，它们的反向泄漏电流在高温下显着增加，从而降低了效率。 ZXGD3103 ZXGD3103 1旨在驱动配置为理想二极管更换的MOSFET。该设备由差分放大器检测器阶段和高电流驱动器组成。检测器监视MOSFET的反向电压，以便如果发生身体二极管导出，则将正电压应用于MOSFET的栅极销。一旦将正压施加到门上，MOSFET开关就会允许反向电流流动。然后，检测器的输出电压与MOSFET漏极式反向电压下降成正比，并通过驾驶员将其应用于门。随着当前的衰减，此操作提供了快速的关闭。
图1显示了芯片的典型配置。只有几个被动组件，我们可以从更高的效率中受益。有趣的是，该芯片适用于不连续传导（DCM），临界传导（CRCM）和连续传导（CCM）开关模式。这意味着它涵盖了几乎所有类型的飞回，半桥和LLC共振电源/转换器。 图2显示了芯片的功能框图。 
图2：ZXGD3103的功能框图 图3显示了一个实用的电路和飞回转换器中的用例。 RREF和RBIAS电阻值是由制造商计算并建议的，涉及芯片的电源电压1。如果电源输出/次级的输出电压高于15V，则必须使用外部电路来馈电VCC，例如数据表建议的增强的Zener-transistor调节器或LDO调节器，并使用输入噪声来减少输入噪声LDO输入的RC过滤器（我的建议，作者），否则，您可以将VCC直接绑在电源输出（如果电压为5V至15V之间）。
图3：芯片在飞回转换器中的典型应用 它没有在数据表中提及，但我的建议是在MOSFET和驾驶员芯片之间使用10R电阻，主要用于放射排放问题，尤其是如果您计划使用整孔MOSFET。 效率比较 该计划是为DC Flyback电源建造AC，即12V-3A输出。输出Schottky二极管必须至少为8A至10A，额定值为100V（取决于反射电压，VOR）。选择可以是MBR20100二极管。根据数据表和图4，该二极管的正向电压下降约为0.7V，在25度C和3A电流下。 
图4：关于温度和电流处理的MBR20100的正向电压下降 因此，完全流动的Schottky二极管上的功率耗散将是：
现代化纠正，ZXGD3103与Schottky二极管 现在，如果我们使用ZXGD3103和100V N通道MOSFET，让我们计算功率耗散。我选择AO4294A零件号。它的价格比Schottky二极管贵一些，目前的评级为11.5a。您可以使用类似的零件号，但是关键是使用低排水管的MOSFET来源阻力，RDS（ON）。在AO4294A的情况下，RDS（ON）约为10MR（图5）。 
图5：AO4294A的RDS（ON）和排水电流之间的关系 因此，完全流动的Schottky二极管上的功率耗散将是：
现代化纠正，ZXGD3103与Schottky二极管 差异很明显。在24小时的全部负载操作中，Schottky二极管浪费在50.4Wh左右，而使用新方法，MOSFET仅浪费在2.16WH左右。
