CS8509 是一款常见的 DC-DC 升压(Boost)转换器芯片,主要用于将低输入电压(如锂电池的 3.7V)升高至更高的输出电压(如 5V、12V 等),广泛应用于移动电源、LED 驱动、便携式设备等场景。以下是其工作原理的详细解析:
输入电压范围:2.7V ~ 24V(典型应用 3V ~ 12V)
输出电压范围:可达 28V(由外部电阻调节)
开关频率:500kHz(固定 PWM 控制)
输出电流:2A(取决于外部 MOS 管和电感选择)
封装:SOP-8(常见封装)
CS8509 主要由以下模块组成:
PWM 控制器:控制开关管的导通和关断,调节输出电压。
误差放大器(EA):比较反馈电压与基准电压(如 0.6V),调整 PWM 占空比。
MOSFET 驱动器:驱动外部 N-MOSFET(如 AO3400)进行开关。
过流保护(OCP):检测电流是否超限,防止烧毁芯片。
软启动(Soft-Start):防止开机瞬间电流冲击。
CS8509 采用 异步升压(Boost)拓扑,其基本工作流程如下:
MOSFET(Q1)导通,电流从输入(VIN)流经 电感(L1)→ MOSFET → 地(GND)。
电感 L1 储存能量(电流线性增加),此时 二极管(D1)截止,负载由输出电容(Cout)供电。
MOSFET(Q1)关断,电感电流不能突变,产生反向电动势(左负右正)。
电感能量通过 二极管(D1) 向输出电容(Cout)和负载释放,同时 提升电压(Vout > Vin)。
输出电压由 PWM 占空比 控制,公式:
Vout=Vin×(1+1?DD)其中 D 为占空比(0~1)。
输出电压通过 电阻分压(R1、R2) 反馈到 FB 引脚,与内部基准电压(如 0.6V)比较。
若输出电压过高 → PWM 减小占空比;反之则增加占空比,保持稳定。
以下是 CS8509 的典型升压电路(5V 输出):
Vin (3.7V) ──┬── L1 (10uH) ────┬── Q1 (MOSFET) ── GND │ │ Cin (10uF) D1 (肖特基) │ │ GND Cout (22uF) ─── Vout (5V) │ R1 ─── FB │ R2 ─── GND
R1/R2 计算(假设 FB=0.6V):
Vout=0.6V×(1+R2R1)例如,5V 输出时,可取 R1=10kΩ,R2=1.5kΩ。
元件 | 作用 | 推荐参数 |
---|---|---|
L1(电感) | 储能 | 10uH~22uH(2A 以上) |
D1(二极管) | 续流 | 肖特基(如 SS34) |
Q1(MOSFET) | 开关管 | AO3400 / SI2302 |
Cout(输出电容) | 滤波 | 22uF(低 ESR) |
输出电压不稳:
检查 FB 分压电阻是否匹配。
确保电感饱和电流足够(如 3A 以上)。
芯片发热严重:
检查 MOSFET 和二极管是否高效(低 Rds(on)、低 Vf)。
增加散热或降低负载电流。
无法启动:
检查输入电压是否 ≥ 2.7V。
确保软启动电容(若有)正常。
CS8509 是一款 高效 DC-DC 升压芯片,适用于 3V~12V 输入、5V~28V 输出的场景。
其原理是 PWM 控制 MOSFET 开关,通过电感储能-释能实现升压。
关键设计点:电感选型、FB 分压计算、MOSFET 和二极管选择。
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