在电流镜简介中了解有关模拟设计的更多信息,包括如何在模拟 IC 中实现该电路。
电流镜是重要的模拟构建模块,可应用于直流偏置和电流模式信号处理等不同领域。该块有多种形式,我们将在下面进行研究:
我们首先了解双极结型晶体管 (BJT) 的一些基本特性。
为了设置背景,请考虑图 1 ,该图显示了 不同基极-发射极电压驱动V BE的NPN BJT的iC -v CE特性。
我们观察到,当v CE ≥ 0.2 V 时,所有曲线基本上都是平坦的,这表明 BJT 能够独立于集电极电压吸收电流(只要防止该电压降至约 0.2 V 以下)。尽管V BE以 10 mV 的步长递增,但i C以几何方式递增。事实上,在前向主动 (FA) 区域,i C与v BE呈指数关系,如下所示
其中Is是一个称为饱和电流的比例因子,V T是另一个称为热电压的比例因子,因为它与温度T成正比。对于低功率 BJT,I s通常在飞安范围内 (1 fA = 10 –15 A)。
此外,室温下V T = 26 mV。图2a显示了I s = 2 fA的 BJT 的等式 (1) 的 PSpice 图(选择该值是为了在v BE = 700 mV 时,BJT 地给出i C = 1.0 mA)。
等式(1)的倒数为
为了通过 PSpice 将v BE绘制为i C的函数,我们将基极和集电极端子连接在一起,以在所谓的二极管模式下操作 BJT ,然后施加测试电流i T,如图 2b 所示。
如图3a所示,基本镜子 由一对相互靠近制造(或安装)的匹配BJT组成,以便它们的特性( I s和V T)随温度和时间相互跟踪。
假设基极电流可以忽略不计,我们注意到,二极管连接的Q 1通过根据上面所示的等式(2)产生电压降v BE来响应输入电流i I 。
由于Q 2经历与Q 1相同的 v BE,因此根据方程 (1),我们必须有i C2 = i C1,因此Q 2镜像Q 1。假设基极电流可以忽略不计,因此我们有i O = i I。
与图 1b相比,图3b的展开图 表明FA区域中的曲线呈现出非零斜率。这源于所谓的早期效应 [ 1 ],其结果是所有曲线的投影在负轴上的一个公共点处相交,称为早期电压 V A,如图 4 所示。
FA 区域中iC曲线的斜率表示为1/r o ,即电阻的倒数。对图 4 应用简单的几何推理,我们得到斜率 (= 1/r o ) ≈ I C / V A,或
其中I C表示 FA 区域左边缘的电流。
显示的 PSpice 示例使用V A = 60 V,因此对于I C = 1 mA,我们有r o ≈ 60/10 –3 = 60 kΩ。这意味着负载看到的诺顿等效值是具有 60 kΩ 并联电阻的 1 mA 电流吸收器。v O每增加一伏,r o都会导致i O增加(1 V)/(60 kΩ) = 16.7 μA。
现在我们希望仔细观察图 3a的基本镜的基极电流。众所周知,BJT 的基极电流i B与集电极电流i C相关,即i B = i C / ?,其中?是 BJT 的电流增益。通常, ? ≈ 100,但集成电路 BJT 可能具有? ≈ 250。参考图 3a , Q 1集电极节点处的 KCL意味着i I = i C1 + iB1 + i B2 ≈ i C1 + 2i B1 = i C1 + 2i C1 / ? = i C1 (1 + 2/ ? ),或
表明i C1(以及因此i C2,通过镜像作用)将比i I小一点。例如,当? = 100 时,i C1以及i O (= i C2 = i C1 ) 将约为i I的 98% 。如果这个误差无法容忍,我们可以借助第三个 BJT Q 3以图5a的方式 提供i B1和i B2。
这将Q 1集电极节点处的误差电流减少了大约?倍,因此等式 (4) 仍然成立,但将?替换为? 2。
在直流偏置应用中,通常需要合成电流i O << i I。图5b的电路 以其发明者 Bob Widlar 的名字命名,通过与Q 2串联的电阻器R来降低Q 2的基极-发射极压降来实现这一目标,如下所示:
在这方面,记住以下对于执业工程师来说非常重要的经验法则是有帮助的:
例如,假设i I = 1 mA (= 1,000 μA),并且我们希望i O = 20 μA。我们可以将 20 视为 1,000 除以 10 得到 100,100 除以 10 得到 10,然后将 10 乘以 2 得到 20。因此,R 必须下降 (60 + 60 –18) mV = 102毫伏。那么,R = (102 mV)/(20 μA) = 5.1 kΩ。
在某些应用中,希望电流镜 ( a ) 免受公式 (4) 的 beta 误差影响,并且 ( b ) 表现出比公式 (3) 的r o高得多的输出电阻,因此它可以非常接近理想的电流源或汇。图6a的镜子 以其发明者 GR Wilson 的名字命名,仅用一个额外的晶体管Q 3(一石二鸟)即可实现这两个目标。这个优雅的电路可以被系统地分析[1],但这里我们将仅限于直观的讨论。
我们注意到,Q 3承载与Q 2相同的电流,因为它们是串联的,而Q 1反过来镜像Q 2的电流,因此,电路的左半部分和右半部分承载相同的电流。Q 3从左半部汲取基极电流,而Q 1从右半部汲取基极电流(以一种互通的方式)这一事实证实了这一点。(系统分析[1]预测 beta 助手类型存在错误。)
现在,如果我们尝试将v O提高1 V,则早期效应将导致i C3增加 (1 V)/ r o。根据等式(2),这将导致v BE2增加,并且根据等式(1),这又将导致i C1增加。当 Q 1 变得更加导电时,Q 1将让更少的基极电流进入Q 3,迫使后者导电得更小。换句话说,任何提高i C3 的尝试都会遭到往往使这种尝试无效的反应。其实这就是负反馈!(系统分析[1]预测诺顿电阻约为?r o /2。)图 6b的i O曲线的平坦度证实了威尔逊镜的出色特性!
查看集成电路原理图并确定电流镜 (CM) 的存在和用途可能很有趣。例如,查看图 7 的 741 运算放大器,我们确定以下 CM:
接下来,让我们看看图8的CFA。
该电路使用一对 Wilson CM,Q 5 - Q 6 - Q 7和Q 8 - Q 9 - Q 10分别复制Q 1和Q 2的集电极电流,并在公共 基极端子处提供它们的差值问题13和问题14。_ 在某种程度上,上层 CM 充当下层 CM 的有源负载,就像下层 CM 充当上层 CM 的有源负载一样。此外,直流偏置电路由电流源I组成。图3和I 13以及电流吸收器I 4和I 14为简单起见以符号形式示出。但是,如果我们查看更详细的原理图,我们会发现这些源和接收器也是以 CM 形式实现的。
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