30A DPAK贴片N沟道NTD30N02 - D MOSFET管TO-252原装On

数据列表

NTD30N02

产品相片

TO-263

产品变化通告

Product Discontinuation 31/Mar/2005

标准包装

2,500

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

24V

电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）

30A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）

14.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）

3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1000pF @ 20V

功率 - *大值

75W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63

供应商器件封装

DPAK-3

包装

带卷 (TR)

其它名称

NTD30N02T4OS