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产品属性
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数据列表 | HUF75631P3, HUF75631S3ST |
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 400 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | UltraFET™ |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) | 33A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) | 40 毫欧 @ 33A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 79nC @ 20V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1220pF @ 25V |
功率 - *大值 | 120W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
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