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数据列表 NTD12N10 产品相片 DPAK_369D−01 产品变化通告 Product Obsolescence 08/Apr/2011 标准包装 75 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源*电压 (Vdss) 100V 电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 12A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 165 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 550pF @ 25V 功率 - *大值 1.28W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装 I-Pak 包装 管件
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