NTD25P03LT4G MOSFET管 P-CH 30V 25A DPAK贴片TO-252 原

地区:广东 深圳
认证:

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数据列表

NTD25P03L

产品相片

TO-263

标准包装

2,500

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

FET 类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

30V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

25A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

80 毫欧 @ 25A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

20nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1260pF @ 25V

功率 - *大值

75W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63

供应商器件封装

DPAK-3

包装

带卷 (TR)

其它名称

NTD25P03LT4GOS
NTD25P03LT4GOS-ND
NTD25P03LT4GOSTR

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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NTD25P03LT4G

材料

P-FET硅P沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型