56A100V 原装N通道贴片MOSFET管 HUF75639S3S D2PAK Intersil

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

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数据列表

HUF75639G3, P3, S3, S3S

产品相片

TO-220-3, TO-220AB

产品培训模块

High Voltage Switches for Power Processing

标准包装

400

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

UltraFET™

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

标准

漏源*电压 (Vdss)

100V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

56A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

25 毫欧 @ 56A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

130nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

2000pF @ 25V

功率 - *大值

200W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220AB

包装

管件

产品目录页面

1605 (CN2011-ZH PDF)

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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

HUF75639S3S

材料

N-FET硅N沟道

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型