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数据列表 NTD60N02R 产品相片 TO-263 产品变化通告 Product Obsolescence 11/Feb/2009 标准包装 2,500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源*电压 (Vdss) 25V 电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 8.5A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 10.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1330pF @ 20V 功率 - *大值 1.25W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 供应商器件封装 D-Pak 包装 带卷 (TR) 其它名称 NTD60N02RT4OSTR
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