8.5A DPAK贴片N沟道NTD60N02R MOSFET管TO-252原装On

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺

数据列表

NTD60N02R

产品相片

TO-263

产品变化通告

Product Obsolescence 11/Feb/2009

标准包装

2,500

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

25V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

8.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

10.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1330pF @ 20V

功率 - *大值

1.25W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63

供应商器件封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)

其它名称

NTD60N02RT4OSTR

      我公司自成立以来,秉承诚信*,盈利第二;双赢互利,追求卓越的宗旨,成

为华强北*具实力的电子供应商之一,我们拥有*的员工,为你提供*优势的价格,

*及时周到的服务。欢迎您来电详询!

联系电话:(86)  8786   

                      8796   

     真:(86)99  

     机:(0)           先生

本产品为我司优势库存,质量稳定有*,我们将真诚及时提供予你市场的价格。

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NTD60N02R

材料

N-FET硅N沟道

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型