12A IPAK 直插N沟道NTD3055L104-001G MOSFET管TO-251

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

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数据列表

NTD3055L104

产品相片

DPAK_369D−01

标准包装

75

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

60V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

12A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

104 毫欧 @ 6A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

20nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

440pF @ 25V

功率 - *大值

1.5W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装

I-Pak

包装

管件

产品目录页面

1558 (CN2011-ZH PDF)

其它名称

NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS

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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NTD3055L104-001

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型