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产品属性
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数据列表 | NTD20N06 |
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源*电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) | 20A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) | 46 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1015pF @ 25V |
功率 - *大值 | 1.88W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NTD20N06T4GOS |
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SMD(SO)/表面封装
NTD20N06T4G
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