9.5A600V直插塑封FQPF10N60C Mos管N沟道原装*童

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

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数据列表

FQP10N60C, FQPF10N60C

产品相片

TO-220AB 

标准包装

50

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

QFET™

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

标准

漏源*电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

9.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

730 毫欧 @ 4.75A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

57nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

2040pF @ 25V

功率 - *大值

50W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

供应商器件封装

TO-220F

包装

管件

 

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

FQPF10N60C

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

用途

SW-REG/开关电源

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

批号

11+

封装

TO-220F