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数据列表 NTD30N02 产品相片 TO-263 产品变化通告 Product Discontinuation 03/Apr/2007 标准包装 75 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源*电压 (Vdss) 24V 电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 30A 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 14.5 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 20nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1000pF @ 20V 功率 - *大值 75W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 供应商器件封装 DPAK-3 包装 管件
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SMD(SO)/表面封装
NTD30N02
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