3.8A DPAK贴片N沟道NTD23N03R(G) MOSFET管TO-252原装On

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期华万恒宇电子商行

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数据列表

NTD23N03R

产品相片

TO-263

产品变化通告

Discontinuation 30/Jun/2006

标准包装

75

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

-

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

25V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

3.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

45 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

3.76nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

225pF @ 20V

功率 - *大值

1.14W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63

供应商器件封装

D-Pak

包装

管件

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封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NTD23N03R

材料

N-FET硅N沟道

用途

S/开关

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型