SI2314DS-T1-E3北京天泰恒洲科技(图)

制造商:

VISHAY SILICONIX

制造商编号:

SI2314EDS-T1-E3

RoHS协从产品: 是

描述

·        晶体管*性:N

·        漏*电流, Id*大值:4.9A

·        电压, Vds*大:20V

·        开态电阻, Rds(on):0.033ohm

·        电压@ Rds测量:4.5V

·        电压, Vgs*高:950mV

·        功耗:750mW

·        封装类型:TO-236

·        针脚数:3

·        封装类型:TO-236

·        晶体管??型:MOSFET

·        电压Vgs @ Rds on测量:4.5V

·        电压, Vds典型值:20V

·        电流, Id连续:4.9A

·        表面安装器件:表面安装

·        阈值电压, Vgs th典型值:0.95V