SI2305DS-T1-E3北京天泰恒洲科技

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VISHAY SILICONIX – SI2305DS-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P TO-236

  

制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1470101

制造商编号:

SI2305DS-T1-E3

RoHS从产品:

描述

·        晶体管*性:P

·        漏*电流, Id*大值:3.5A

·        电压, Vds*大:-8V

·        开态电阻, Rds(on):0.052ohm

·        电压@ Rds测量:-4.5V

·        电压, Vgs*高:-800mV

·        功耗:1.25W

·        封装类型:TO-236

·        针脚数:3

·        封装类型:TO-236

·        晶体管类型:MOSFET

·        电压Vgs @ Rds on测量:-4.5V

·        电压, Vds典型值:-8V

·        电流, Id连续:-3.5A

·        表面安装器件:表面安装

·        阈值电压, Vgs th典型值:-0.8V

品牌

SIL美德硅技术

型号

SI2305DS-T1-E3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

D/变频换流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)