SI2304DS-T1-E3北京天泰恒洲科技

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SI2304DS215 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.7A SOT23

 

 

 

制造商编号:

SI2304DS-T1-E3

RoHS协从产品: 

描述

·        晶体管*性:N Channel

·        漏*电流, Id*大值:1.7A

·        电压, Vds*大:30V

·        开态电阻, Rds(on):117mohm

·        电压@ Rds测量:10V

·        电压, Vgs*高:2V

·        功耗:830mW

·        工作温度范围:-65°C to 150°C

·        封装类型:SOT-23

·        针脚数:3

·        SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)

·        封装类型:SOT-23

·        晶体管类型:Enhancement

·        电压Vgs @ Rds on测量:10V

·        电压, Vds典型值:30V

·        电流, Id连续:500mA

·        表面安装器件:表面安装

·        阈值电压, Vgs th典型值:2V

 

品牌/商标

SIL美德硅技术

型号/规格

SI2304DS-T1-E3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

D/变频换流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)