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SI2304DS215 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.7A SOT23
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制造商编号: SI2304DS-T1-E3 RoHS协从产品: 是 描述 · 晶体管*性:N Channel · 漏*电流, Id*大值:1.7A · 电压, Vds*大:30V · 开态电阻, Rds(on):117mohm · 电压@ Rds测量:10V · 电压, Vgs*高:2V · 功耗:830mW · 工作温度范围:-65°C to 150°C · 封装类型:SOT-23 · 针脚数:3 · SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) · 封装类型:SOT-23 · 晶体管类型:Enhancement · 电压Vgs @ Rds on测量:10V · 电压, Vds典型值:30V · 电流, Id连续:500mA · 表面安装器件:表面安装 · 阈值电压, Vgs th典型值:2V
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SIL美德硅技术
SI2304DS-T1-E3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
SMD(SO)/表面封装
1(V)
1(V)
1(μS)
1(pF)
1(dB)
1(mA)
1(mW)