SI9183DQ-T1北京天泰恒洲科技(图)

地区:北京
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SI9183DQ-T1

 

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品牌/商标

SIL美德硅技术

型号/规格

SI9183DQ-T1

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

低频跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)