VISHAY SILICONIX - SI1012X-T1-E3场效应管 MOSFET N 3-SC

制造商:VISHAY SILICONIX制造商编号:SI1012X-T1-E3

RoHS协从产品:是

描述

晶体管*性:N Channel
漏*电流, Id *大值:500mA
电压, Vds *大:20V
开态电阻, Rds(on):1.25ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs *高:900mV
功耗:250mW
工作温度范围:-55°C to 150°C
封装类型:SC-89
针脚数:3
封装??型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:500mA
表面安装器件:表面安装
北京天泰恒洲科技有限公司
；廖汉鑫
；010-6268155
010
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VISHAY SILICONIX - SI2303BDS-T1-E3 -场效应管 MOSFET

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制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1653681

制造商编号:

SI2303BDS-T1-E3

RoHS协从产品: 是

描述

· 晶体管*性:P Channel
·
· 电压, Vds *大:-30V
·
· 电压 @ Rds测量:-10V
· 电压, Vgs *高:20V
· 功耗:900mW
· 工作温度范围:-55°C to 150°C
· 封装类型:SOT-23
· 针脚数:3
· 封装类型:SOT-23
· 晶体管类型:MOSFET
· 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
· 电压, Vds 典型值:-30V
·
· 表面安装器件:表面安装
· 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
· 阈值电压, Vgs th *高:3V

NXP - SI2304DS215 -场效应管MOSFET N沟道30V 1.7A SOT23

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制造商:

NXP

库存编号:

1758125

制造商编号:

SI2304DS215

RoHS协从产品: 是

描述

· 晶体管*性:N Channel
·
· 电压, Vds *大:30V
· 开态电阻, Rds(on):117mohm
· 电压 @ Rds测量:10V
· 电压, Vgs *高:2V
· 功耗:830mW
· 工作温度范围:-65°C to 150°C
· 封装类型:SOT-23
· 针脚数:3
· SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
· 封装类型:SOT-23
· 晶体管类型:Enhancement
· 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
· 电压, Vds 典型值:30V
· 电流, Id 连续:500mA
· 表面安装器件:表面安装
· 阈值电压, Vgs th 典型值:2V

VISHAY SILICONIX – SI2305DS-T1-E3 -场效应管MOSFET P TO-236

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制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1470101

制造商编号:

SI2305DS-T1-E3

RoHS协从产品: 是

描述

· 晶体管*性:P
·
· 电压, Vds *大:-8V
·
·
· 电压, Vgs *高:-800mV
·
· 封装类型:TO-236
· 针脚数:3
· 封装类型:TO-236
· 晶体管类型:MOSFET
·
· 电压, Vds 典型值:-8V
·
· 表面安装器件:表面安装
·

VISHAY SILICONIX - SI2306BDS-T1-E3 -场效应管 MOSFET N SOT-23

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制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1470157

制造商编号:

SI2306BDS-T1-E3

RoHS协从产品: 是

描述

· 晶体管*性:N
·
· 电压, Vds *大:30V
·
· 电压 @ Rds测量:10V
· 电压, Vgs *高:3V
·
· 封装类型:SOT-23
· 针脚数:3
· 封装类型:SOT-23
· 晶体管类型:MOSFET
· 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
· 电压, Vds 典型值:30V
· 电流, Id 连续:4A
· 表面安装器件:表面安装
· 阈值电压, Vgs th 典型值:3V

VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 -场效应管 MOSFET P沟道 30V 3.5A SOT23

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制造商:

VISHAY

库存编号:

1779262

制造商编号:

SI2307CDS-T1-GE3

RoHS协从产品: 是

描述

· 晶体管*性:P Channel
·
· 电压, Vds *大:-30V
· 开态电阻, Rds(on):73mohm
· 电压 @ Rds测量:-10V
· 电压, Vgs *高:20V
·
· 工作温度范围:-55°C to 150°C
· 封装类型:SOT-23
· 针脚数:3

VISHAY SILICONIX - SI2308DS-T1-E3 -场效应管MOSFET N SOT-23

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制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1470158

制造商编号:

SI2308DS-T1-E3

RoHS协从产品:是

描述

· 晶体管*性:N
· 漏*电流, Id *大值:2A
· 电压, Vds *大:60V
·
· 电压 @ Rds测量:10V
· 电压, Vgs *高:3V
·
· 封装类型:SOT-23
· 针脚数:3
· 封装类型:SOT-23
· 晶体管类型:MOSFET
· 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
· 电压, Vds 典型值:60V
· 电流, Id 连续:2A
· 表面安装器件:表面安装
· 阈值电压, Vgs th 典型值:3V

VISHAY SILICONIX - SI2309DS-T1-E3 -场效应管 MOSFET P沟道 1.25W SOT-23 SMD

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制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1162917

制造商编号:

SI2309DS-T1-E3

RoHS协从产品:是

描述

·

VISHAY SILICONIX - SI2311DS-T1-E3 -场效应管 MOSFET P沟道 0.96W SOT-23 SMD

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制造商:

VISHAY SILICONIX

库存编号:

1258062

制造商编号:

SI2311DS-T1-E3

RoHS协从产品:是

描述

·

v

品牌/商标

SIL美德硅技术

型号/规格

SI1012X-T1

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4.5（V）

夹断电压

20（V）

低频跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

500（mA）

耗散功率

0.25（mW）