SI2312DS-T1-E3北京天泰恒洲科技(图)

制造商:

VISHAY SILICONIX

制造商编号:

SI2312BDS-T1-E3

描述

·        晶体管*性:N

·        漏*电流, Id*大值:5A

·        电压, Vds*大:20V

·        开态电阻, Rds(on):0.047ohm

·        电压@ Rds测量:4.5V

·        电压, Vgs*高:850mV

·        功耗:0.75mW

·        封装类型:SOT-23

·        针脚数:3

·        SMD标号:M2

·        器件标号:2312

·        封装类型:SOT-23

·        晶体管类型:MOSFET

·        电压Vgs @ Rds on测量:4.5V

·        电压, Vds典型值:20V

·        电流, Id连续:3.9A·        电流, Idm脉冲:15A·        表面安装器件:表面安装·        阈值电压, Vgs th典型值:0.85V·        阈值电压, Vgs th:0.45V·        阈值电压, Vgs th*高:0.85V